三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的领导团队顺利解决了在氮化镓(GaN )芯片上构成GaN元件功率半导体的重要技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。日本通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术，GaN芯片的产量占世界最低的份额。

如果把现有技术实用化的话，就有世界上的优势。功率半导体不利于家电、汽车、电车等节能，产业市场需求相当大。

在GaN功率半导体中，在硅基板上批量生产构成卧式GaN系的高电子迁移率晶体管等器件，但在GaN基板上构成GaN的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET )高性能器件的研究正在进行。美国也在大力研究，世界研发竞争白热化。日顶级球队制作了高质量的2英寸GaN芯片和MOSFET。

三菱化学改良了面向功率半导体的GaN芯片量产技术“氨热法”。优化晶体的健全条件，使芯片平均值的缺损密度增加到传统的几百分之一、每平方厘米数千水平。

他们的目标是在2018年度进一步减少缺损一位数以上，构建4英寸大尺寸芯片。富士电机等制作的MOSFET与元件性能指标之一的碳化硅功率半导体相比迁移率低，确保了适合实际动作的阈值电压。

GaN的MOSFET兼具这些特性还是第一次。丰田中央研究所用新的离子注入法试制了GaN的pn结。“新一代电力电子工业”是日本内阁府发展战略性创造构筑计划的一环。

今后，日研究小组将从芯片上对部件构成、加工技术、基础物性的理解等各个方面验证实用性，特别是为了流过大电流而纵向制作部件。

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